Intel, 1.8nm ve 2nm süreçlerinin gelişimini tamamladı: Hedef liderlik

Anakart Driverları, Donanım Mar 07, 2023 Yorum Yok
Intel, fabrikasyon teknolojisi liderliğine bir adım daha yaklaşıyor. Teknoloji devi, şirketin kendi eserlerinde kullanmak için Intel 18A (1.8nm) ve Intel 20A (2nm) üretim süreçlerinin yanı Dizi Intel Döküm Hizmetleri (IFS) kısmının müşterileri için yongaların geliştirilmesini tamamladı.

Intel China’nın işvereni Wang Rui, düzenlenen bir aktiflikte şirketin Intel 18A (18 angstrom sınıfı) ve Intel 20A (20 angstrom sınıfı) üretim süreçlerinin gelişimini tamamladığını söyledi. Bu ortada, gelişimin tamamlanması bu süreç süreçlerinin ticari üretimlerde kullanılmaya Amade olduğu manasına gelmiyor. Bilakis, Intel’in her iki teknoloji için bütün özellikleri, materyalleri, ihtiyaçları ve performans maksatlarını belirlediği manasına geliyor.

Intel, sanayi liderliğini hedefliyor

Intel’in 20A üretim teknolojisi, GAA (Gate-all-around) RibbonFET transistör mimarisini kullanacak. Bu transistörler FinFET’in ardılı olarak düşünülebilir. Lakin burada transistörler hem daha Ufak hem de geçişkenlikleri daha süratli. Hasebiyle bunlarım performansı etkilemesi bekleniyor. Intel, bu üretim sürecinin watt başında yüzde 15 performans artışı sağlayacağını ve 2024’ün birinci yarısında da üretime sokmayı hedeflediğini aktarıyor.

Intel’in 18A üretim süreci, şirketin RibbonFET ve PowerVia teknolojilerinin yanı Dizi küçülen transistör boyutlarını daha da geliştirecek. Görünüşe nazaran bu düğümün gelişimi o kadar uygun gidiyor ki Intel, amaçlarını 2025’ten 2024’ün ikinci yarısına kadar çekmiş durumda. Şirket, 2024’ün ikinci yarısında yüksek hacimli üretime (HVM) girdiğinde, 1.8nm sınıfı üretim teknolojisinin endüstrinin en gelişmiş düğümü olmasını bekliyor.

Yorum Yok

Yorum Yap

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir