Belirtilenlere nazaran Samsung Foundry, geliştirilmiş 3nm ve 4nm çip üretim süreçlerini Haziran ayında VLSI Symposium 2023’te tanıtacak. Faaliyet 11-16 Haziran 2023 tarihleri ortasında Japonya’nın Kyoto kentinde gerçekleştirilecek. Çip sanayisi aktifliği sırasında Güney Koreli çip üreticisi ikinci jenerasyon 3nm ve dördüncü nesil 4nm süreçlerini ayrıntılandıracak.
Samsung yeni jenerasyon 3nm ve 4nm süreçlerine geçiyor
Samsung Foundry’nin SF3 çip üretim süreci 3nm GAP teknolojisini kullanacak. Yeni süreç, Samsung’un MBCFET (Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistors) ismini verdiği geliştirilmiş GAA (Gate All Around) transistörüne dayanıyor. SF4 (4nm EUV LPP) ile karşılaştırıldığında, SF3’ün birebir güçte yüzde 22 daha hızlı yahut birebir saat suratlarında ve transistör sayısında yüzde 34 daha Çok verimli olduğu söyleniyor. Ayrıyeten zar alanı bakımından da yüzde 21 daha Ufak bir Meydan sunuluyor. Bu ortada yıllardır, GAA sürecinin birincil avantajlarından birinin tıpkı hücre tiplerinde değişen nanosheet kanal genişlikleri olduğu söyleniyordu. Samsung Foundry ise SF3 sürecinin bunu destekleyeceğini söylüyor. Münasebetiyle buradan SF3E’nin (birinci jenerasyon 3nm süreci) bunu tam olarak desteklemediği çıkarımı yapılabilir.
Exynos 2500 ve Snapdragon 8 Gen 4 için kullanılabilir
Bu ortada Güney Koreli firmanın sunucu CPU’ları ve GPU’lar üzere yüksek performanslı bilgi süreç uygulamaları için kullanılmak üzere tasarlanan dördüncü nesil 4nm süreci, SF4’e (ikinci nesil 4nm) kıyasla yüzde 10 performans artışı ve yüzde 23 uygunlaştırılmış Güç verimliliği sunuyor. Bu yeni süreç, TSMC’nin sırasıyla 2024 ve 2025 yıllarında kullanıma sunulacak olan N4P (ikinci jenerasyon 4nm) ve N4X (üçüncü jenerasyon 4nm) düğümleriyle rekabet edecek.
Yorum Yok