Yarı iletken teknolojileri alanında kıyasıya rekabet sürüyor. Bu alanda öncü firmalardan olan SK Hynix, kısa bir mühlet Evvel yeni LPDDR5x beleklerini duyurdu. Yeni bellekler güç verimliliğinde Önemli kazanımlar sunarken tıpkı vakitte performans açısından da epeyce savlı görünüyor. Verimlilikte yüzde 25 güzelleşme var
SK Hynix, yaptığı basın açıklamasında HKMG (High-K Metal Gate) sürecine sahip dünyanın birinci taşınabilir DRAM’ı olan LPDDR5x’i geliştirdiğini duyurdu. Yapılan açıklamada yeni belleklerin, evvelki jenerasyona kıyasla Güç tüketiminde yüzde 25 daha verimli olduğu aktarılıyor. Öte yandan bu bellekler, JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) tarafından belirlenen 1,01 V ile 1,12 V arasındaki ultra düşük voltaj aralığında çalıştığı için LPDDR5x dalında en yüksek güç verimliliğine sahip.
LPDDR5x (Low Power Double Veri Rate 5X) DRAM yongalar isminden da anlaşılacağı üzere büsbütün düşük Sıkıntı tüketimine odaklı bellekler. Münasebetiyle LPDDR5x bellekler taşınabilir aygıtlar için geliştiriliyor. Güç tüketimi ne kadar düşük olursa, aygıtın pil ömrü de münasebetiyle o kadar yüksek oluyor. Ek olarak, var LPDDR5X, evvelki jenerasyona nazaran yüzde 33 daha yüksek olan 8,5 Gbps çalışma suratına sahip. Münasebetiyle yalnızca taşınabilir aygıtlar değil otomotiv kesimi için de bu belleklerin Ehemmiyet derecesi yüksek. Bu ortada, SK Hynix’in 1anm olarak isimlendirdiği üretim süreci temelinde dördüncü jenerasyon 10nm süreç tekniği olarak Anlatım edilebilir. ek olarak, Samsung’da 8.5Gbps sürate sahip LPDDR5x tahlillerini tanıtmıştı. SK Hynix, Samsung’tan farklı olarak kendi belleklerinde HKMG teknolojisini entegre ederek transistör verimliliğini artırmayı hedefliyor.
Yorum Yok